ROHM
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 8インチSiC量産を準備、Gen5 SiC MOSFET展開
- EV依存度
- 中（車載・産業の長期顧客基盤）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- FY2025にSiC減損、量産能力増強は継続
- 主要供給契約・提携
- 東芝とSiCで協業、車載BBU向け製品
Data Tracker
パワー半導体 供給・能力トラッカー
主要パワー半導体メーカーの SiC ウェハ移行（6→8インチ）状況、直近の増設・減損、主要供給契約、EV依存度を一次ソースで横断整理する定点トラッカー。供給リスク指数は今後追加予定。
as of 2026-07-24
更新履歴
- 2026-07-24 — STMicro Q2決算反映（SiC二桁成長見込み・DC目標上方修正）。
- 2026-07-18 — 供給網の川上3社を追加: Element 3-5（EC €3.53億承認・SiCエピ）/ 晶盛機電（12インチ中試・装置内製）/ AccoPower芯聚能・芯粤能（車載SiC垂直統合・量産交付）
- 2026-07-11 — onsemi（Fab Right 2工場売却）・Infineon（ドレスデン世界最大fab開所／米ITCでInnoscience排除）・Navitas／Wolfspeed（GaN特許で相互提訴）を更新
17社
収録している主要メーカー
7社
200mm / 8インチ SiC へ移行中
4地域
日本・米国・欧州・中国
日本
三菱電機
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- SiC増産投資、8インチ基板に向けCoherentと協業
- EV依存度
- 中（産業・鉄道・車載に分散）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 次世代IGBT/SiCモジュール、1200V級サンプル
- 主要供給契約・提携
- Coherentと8インチSiC基板で協業
富士電機
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- SiC量産能力を増強（青森等）
- EV依存度
- 低〜中（産業・電源が中心）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 次世代IGBT、産業・車載向けSiC拡大
- 主要供給契約・提携
- 国内中心の供給体制
東芝デバイス&ストレージ
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 石川・加賀東芝でSiC能力増強
- EV依存度
- 中（車載・産業）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 三重ゲートIGBTで損失低減、SiC MOSFET（QDPAK）展開
- 主要供給契約・提携
- ROHMとSiCで協業
ルネサスエレクトロニクス
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 高崎でSiC量産計画（GaNはTransphorm買収）
- EV依存度
- 中（車載中心、SiCは新規参入）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- Transphorm買収でGaN取り込み、SiC内製化
- 主要供給契約・提携
- Wolfspeedと10年SiCウェハ供給契約
米国
onsemi
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 自社200mm SiC基板内製を推進
- EV依存度
- 高（EV向けSiCが中核）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- EV鈍化で出荷調整、AIデータセンター回復に注力。Fab Right戦略で2工場売却（タルラック→Greatek／Mountain Top→Silex、年約3,500万ドル削減）
- 主要供給契約・提携
- 垂直統合（基板〜モジュール）志向
Wolfspeed
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 200mm SiC専業、Mohawk Valley稼働。垂直統合体制を維持
- EV依存度
- 非常に高い（EV長期契約に依存）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 2025年6月Chapter 11申請→9/29再建完了。約46億ドル(約70%)の債務を圧縮し継続供給。EV鈍化・中国勢競合・NY工場立上げ遅延が背景。2026年、GaN/SiC特許でNavitasを提訴（知財攻勢）
- 主要供給契約・提携
- Renesas等と10年SiCウェハ供給契約
Navitas Semiconductor
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- GaN中心（GaNファスト）＋SiC
- EV依存度
- 低（モバイル・データセンター電源が中心）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- AIデータセンター電源向けGaN/SiCで成長。2026年Wolfspeedから特許侵害でデラウェア連邦地裁に提訴され係争中（特許300件超を保有）
- 主要供給契約・提携
- ファウンドリ活用（ファブライト）
欧州
Infineon
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 200mm SiC量産移行を推進（Villach/Kulim）
- EV依存度
- 中（車載・産業・電源に分散）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- CoolSiC拡充、AIデータセンター電源向けGaN/SiC強化。2026年7月ドレスデンに世界最大級のパワー半導体fabを開所（投資50億ユーロ）。GaN特許でInnoscienceを米ITCから排除
- 主要供給契約・提携
- SK Siltron等とSiCウェハ長期供給
STMicroelectronics
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- イタリア・カターニアで200mm SiC統合拠点を整備
- EV依存度
- 高（車載SiCの比率が高い）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 2026Q2売上+26%/34.9億ドル。SiC売上は2026年二桁成長見込み（6→8インチ移行が支え）。DC向け売上目標を2026年10億ドル超・2027年20億ドル超へ上方修正。
- 主要供給契約・提携
- 中国・三安光電とSiC合弁（重慶）
Semikron Danfoss
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- モジュール専業（チップは外部調達中心）
- EV依存度
- 中（車載・産業モジュール）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 車載SiCパワーモジュールを拡大
- 主要供給契約・提携
- 各チップメーカーから調達しモジュール化
Element 3-5（SiCnature）
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- SiCエピウェハ専業の新設工場（独NRW州ベースヴァイラー）。first-of-a-kind要件で建設
- EV依存度
- 間接（エピ供給を通じ車載・産業デバイスに波及）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 2026-07-14、欧州委員会が€3.53億の独国家補助を承認（€6.59億パッケージの最大案件）
- 主要供給契約・提携
- 欧州域内の独立系エピ供給源として、欧州デバイス勢の調達選択肢を拡大見込み
中国
BYD半導体
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 自社SiC量産を拡張、垂直統合
- EV依存度
- 高（自社EV向けが中核）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 中国EV需要を背景にSiC生産拡張
- 主要供給契約・提携
- BYD車載向けの内製供給
CRRC時代電気
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 鉄道・産業向けSiC/IGBTを国産化
- EV依存度
- 中（鉄道・産業・車載）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 国産化政策を背景に能力拡張
- 主要供給契約・提携
- 国内サプライチェーン中心
Silan Microelectronics
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- IGBT/SiCの国産能力を拡張
- EV依存度
- 中（車載・産業・民生）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 中国勢の価格競争力で市場シェア拡大
- 主要供給契約・提携
- 国内中心
晶盛機電（JSG / SuperSiC）
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 結晶成長〜検査の全工程装置を自社開発内製。12インチ中試ライン構築・光学グレード小ロット生産（公式）。報道では浙江で8インチ年産60万枚を投産加速
- EV依存度
- 間接（基板供給を通じデバイス各社に波及）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 12インチSiC基板の中試ライン構築を公式発表（2026）
- 主要供給契約・提携
- 装置内製×基板の垂直統合でコスト構造が既存基板専業と異なる
芯聚能・芯粤能（AccoPower）
- SiCウェハ移行（6→8インチ）
- 広州南沙にワイドバンドギャップ半導体の設計・製造・封測拠点を構築
- EV依存度
- 高（車載主駆動SiCが中核）
- 直近の動き（増設・減損・製品）
- 芯粤能製SiCチップ搭載の主駆動モジュールが量産交付段階。AQG324通過・整車まで車規級検証完了（公式）。報道ではD輪7億元超調達
- 主要供給契約・提携
- 設計→ウェハ→モジュールの全工程を国内で完結する垂直統合体
メソドロジーと引用
本トラッカーは、SiC・GaN・Si IGBT を含むパワー半導体の主要メーカーを対象に、SiCウェハの大口径化（6→8インチ／200mm）、直近の増設・減損・製品、主要な供給契約・提携、EV依存度を、各社の公式発表・IRに基づいて整理しています。EV依存度は公開情報からの定性評価です。定量スコアによる「供給リスク指数」はメソドロジーを確定したうえで今後追加します。更新は決算期・主要発表のタイミングで行います（as of 2026-07-24）。
引用する場合の出典表記：
Sector Signals「パワー半導体 供給・能力トラッカー」(as of 2026-07-24) https://sector-signals.net/trackers/power-semiconductor-supplyCC BY 4.0 — 出典を明記すれば自由に引用・転載できます。 調査方針・運営について