Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
実務解説
再エネ統合で需要が拡大するSTATCOM・HVDCシステム向けパワー半導体を整理。三菱電機±450MVAr実績・Infineon 4500V IGBTモジュール・LCC vs VSC選択・調達示唆を解説。
グリーン水素製造向け水電解システムのパワーエレクトロニクスを整理。MW級SiC採用・グリッドコード対応・onsemi/InfineonのPFC/DC-DCソリューション・CAPEX/OPEX示唆を解説。
Starpowerの粗利益率が6pp圧縮、CRRCも半導体部門マージン圧迫——中国IGBTの低価格は構造的競争力なのか、一時的な価格攻勢なのか。AEC-Q101認定コスト・設計変更工数・供給リスクを含むTCO全体で調達判断を問い直す。
IGBTからSiC MOSFETへの切り替えをいつ判断するか。判断軸はデバイス単価比較ではなく、SiCによる冷却系・受動部品の小型化がシステム全体のBOMと製品仕様をどう変えるか。用途別の判断フローと中間解のハイブリッドSiCも解説する。
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
