Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
実務解説
再エネ統合で需要が拡大するSTATCOM・HVDCシステム向けパワー半導体を整理。三菱電機±450MVAr実績・Infineon 4500V IGBTモジュール・LCC vs VSC選択・調達示唆を解説。
グリーン水素製造向け水電解システムのパワーエレクトロニクスを整理。MW級SiC採用・グリッドコード対応・onsemi/InfineonのPFC/DC-DCソリューション・CAPEX/OPEX示唆を解説。
特集
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
ニュース
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
Starpowerの粗利益率が6pp圧縮、CRRCも半導体部門マージン圧迫——中国IGBTの低価格は構造的競争力なのか、一時的な価格攻勢なのか。AEC-Q101認定コスト・設計変更工数・供給リスクを含むTCO全体で調達判断を問い直す。
IGBTからSiC MOSFETへの切り替えをいつ判断するか。判断軸はデバイス単価比較ではなく、SiCによる冷却系・受動部品の小型化がシステム全体のBOMと製品仕様をどう変えるか。用途別の判断フローと中間解のハイブリッドSiCも解説する。
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
EV向けインバータの主役交代、産業機器の高効率化圧力、データセンターの電力密度急騰——複数の需要波が同時に押し寄せる今、主要半導体メーカーはSiC・GaN・IGBTの三つの技術に対して、どこに資本を投じ、どこを守り、どこを諦めるかという選択を迫られている。
東芝が「トリプルゲートIGBT」と呼ぶ新構造のIGBTを発表し、従来比で損失を最大40%削減できると公表した。40%という数字は、単なる世代交代のスペックアップではない。IGBTが主戦場としてきた産業機器・鉄道・大型インバータの領域では、損失1%の改善がシステム冷却コストや年間電力費に直結する。それ
