Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
ニュース
Microchipが2026年5月26日に3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」を発表。6kV絶縁により13.8kV・34.5kVグリッド接続時の直列デバイス数を低耐圧SiC比で約半減し、AIデータセンターの固体変圧器(SST)向けに100〜300Aをカバーする。
実務解説
SiCパワーモジュールの熱設計で押さえるべきポイントを実務視点で整理。TIMの熱抵抗支配、液冷流量の実例、上面冷却・両面放熱パッケージの比較、パワーサイクル試験基準まで、設計・調達担当者向けに解説する。
Infineon・オン・セミコンダクター・STMicro・三菱電機・富士電機・ロームのパワーモジュール主要6社を、製品ラインアップ・SiC対応力・供給体制・価格競争力の4軸で比較する。調達先選定の参照情報として整理する。
SiCパワーモジュールの性能限界はデバイスよりもパッケージ技術に起因するケースが多い。ゲル封止からエポキシ・セラミック封止への移行、ダブルサイド冷却構造の採用など、封止・実装技術の動向が次世代SiCシステムの競争力を左右する。
