Research Notes

ワイドバンドギャップ半導体の製造コスト動向——SiC・GaNのコスト曲線を読む

SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。