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富士電機：シリコン限界を突破する新世代IGBT発表でSiCに対抗
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
IGBTの将来性：SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
東芝：トリプルゲートIGBTで損失40%削減を実現する新構造の詳細
東芝が「トリプルゲートIGBT」と呼ぶ新構造のIGBTを発表し、従来比で損失を最大40%削減できると公表した。40%という数字は、単なる世代交代のスペックアップではない。IGBTが主戦場としてきた産業機器・鉄道・大型インバータの領域では、損失1%の改善がシステム冷却コストや年間電力費に直結する。それ
IGBTとSiC MOSFETの違い：選び方の基準
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
水電解パワー半導体実務ガイド：グリーン水素とSiC/IGBT
グリーン水素製造向け水電解システムのパワーエレクトロニクスを整理。MW級SiC採用・グリッドコード対応・onsemi/InfineonのPFC/DC-DCソリューション・CAPEX/OPEX示唆を解説。
東芝：TW007D120E 1200V SiC MOSFET、Rds(on)×Qgd改善
東芝デバイス＆ストレージが2026年5月20日に1200Vトレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」のテストサンプル出荷を開始。フィギュアオブメリットRds(on)×Qgdを現行品比約52%改善し、AIデータセンター電源と再生可能エネルギー機器への採用を目指す。
三菱電機：NX 1200V IGBT、損失19%減サンプル
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
ローム：SCT4013DLL 750V SiC MOSFET、BBUでIGBT代替
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。