パワー半導体
SiC/GaN/IGBT・サプライヤー動向・調達リスク
中国製IGBT：価格30%安の妥当性をTCOと品質保証の観点で評価する
Starpowerの粗利益率が6pp圧縮、CRRCも半導体部門マージン圧迫——中国IGBTの低価格は構造的競争力なのか、一時的な価格攻勢なのか。AEC-Q101認定コスト・設計変更工数・供給リスクを含むTCO全体で調達判断を問い直す。
SiCウェハ地政学：SK Siltron買収が変える供給構造
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。
Cyient、インド初のGaNパワーICを発表
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。
中国IGBTメーカー台頭：自給率向上と調達構造の変化
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
パワーモジュールTier1サプライヤーの競争力比較
Infineon・オン・セミコンダクター・STMicro・三菱電機・富士電機・ロームのパワーモジュール主要6社を、製品ラインアップ・SiC対応力・供給体制・価格競争力の4軸で比較する。調達先選定の参照情報として整理する。
Infineon：SK SiltronとSiCウェハ供給契約で調達リスクを分散
2025年、InfineonはSK Siltronと複数年にわたるSiCウェハ供給契約を締結した。金額は公表されていないが、Infineonがウェハ調達を単一の長期契約で固定するという動きは、SiCサプライチェーンの構造変化を象徴している。「誰がウェハを確保するか」が、パワー半導体の競争力を左右する
ルネサス：Wolfspeedと10年SiCウェハ供給契約を結び安定調達
ルネサスエレクトロニクスとWolfspeedが、10年間にわたるSiCウェハの長期供給契約を締結した。金額の詳細は非公開だが、「10年」という期間の長さそのものがこのニュースの核心を語っている。半導体業界でこれほど長期の調達契約が結ばれるのは異例であり、SiCウェハ市場が単なる「買い手優位の部材調達
SiC 8インチ基板：量産安定化と供給体制の課題
SiCパワー半導体の基板径は、今まさに6インチ（150mm）から8インチ（200mm）へのシフトが進んでいる。ただし「移行が始まった」という事実と「安定した供給体制が整った」という事実の間には、まだ大きな距離がある。設計や調達の観点から8インチ基板の供給体制を評価しようとするとき、重要なのは移行のタ