Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
特集
IGBTとSiC MOSFETは何が違い、どの用途でどちらを選ぶべきか。デバイス構造（バイポーラ対ユニポーラ）、導通・スイッチング損失、耐圧・周波数帯、コスト、EV・産業・太陽光・データセンター等の用途別の使い分けを基礎から整理する。
ニュース
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
実務解説
IGBTからSiC MOSFETへの切り替えをいつ判断するか。判断軸はデバイス単価比較ではなく、SiCによる冷却系・受動部品の小型化がシステム全体のBOMと製品仕様をどう変えるか。用途別の判断フローと中間解のハイブリッドSiCも解説する。
生成AI投資を背景にデータセンターの電力消費量が急増している。電源効率の向上要求が厳しくなる中、SiCやGaN採用のUPS・PSUが主流化しつつある。電力インフラ関連のパワーデバイス需要と調達上の変化を整理する。
GaN-on-Siは650V以下の低・中電圧アプリケーションでシリコンを置き換えつつある。EVオンボードチャージャーで先行採用されたこの技術が、産業用モーター制御・通信電源・産業用UPSへと応用範囲を広げている。用途別の採用実態と調達上の論点を整理する。
