Research Notes

SiCモジュール封止技術の動向——次世代パッケージが変える熱設計

SiCパワーモジュールの性能限界はデバイスよりもパッケージ技術に起因するケースが多い。ゲル封止からエポキシ・セラミック封止への移行、ダブルサイド冷却構造の採用など、封止・実装技術の動向が次世代SiCシステムの競争力を左右する。