パワー半導体
SiC/GaN/IGBT・サプライヤー動向・調達リスク
GaN市場動向：Navitas好決算とインド初量産の示唆
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
中国IGBTメーカー台頭：自給率向上と調達構造の変化
BYD半導体・斯達半導体（Starpower）・中車時代電気（CRRC）など中国IGBTメーカーが国内自給率を急速に高め、グローバル市場への参入を加速している。価格競争の激化と供給過剰懸念が欧日系サプライヤーとの競合構図を変えつつある。調達への影響を整理する。
SiC需要の転換点：EV失速と産業用途へのシフト
EVの需要鈍化でSiC市場の成長見通しが修正されている。一方で産業機器・太陽光・データセンター向け需要が想定以上のペースで拡大しており、需要の多角化が構造変化として定着しつつある。調達先の需要ポートフォリオ評価に影響する論点を整理する。
IGBTの将来性：SiC・GaN台頭後もシリコンデバイスが重要な理由
電力変換市場の主役交代が叫ばれるようになって久しい。SiCパワーデバイスの世界市場は2030年代に向けて急拡大が予測され、GaNも家電からデータセンター向け電源まで採用範囲を広げている。では、シリコンIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲートバイポーラト
Infineon CoolSiC：耐圧拡充とパッケージ刷新の狙い
SiC MOSFET市場のリーダーであるInfineonが、CoolSiCファミリーのラインアップ更新を進めている。単なる製品追加ではなく、耐圧帯の拡充とゲート構造の改良を組み合わせた動きとして捉えると、この更新が業界全体に対して何を問いかけているかが見えてくる。
onsemi：SiC事業の見通しと欧米EV失速による成長鈍化のリスク
2025年に入り、onsemiのSiC事業が市場の期待ほど伸びていないという見方が広がっている。EVインバータ向けを中心に積み上げてきたSiCビジネスは、欧米の電動化ペース鈍化という逆風にさらされ、通期見通しの下方修正が相次いだ。だが同社はSiC投資の方向性を変えていない。この「踏みとどまる」という
パワー半導体市場：2026年版の業界再編マップ
2025年、SiCパワー半導体の世界市場は約30億ドル規模とされ、2030年までに100億ドルを超えるという予測が複数のリサーチ機関から出ている。だが今、業界関係者の話題の中心にあるのは「成長」よりも「再配置」だ。誰が市場を取るか、よりも、誰が生き残るかという問いに変わりつつある。
ルネサス：Wolfspeedと10年SiCウェハ供給契約を結び安定調達
ルネサスエレクトロニクスとWolfspeedが、10年間にわたるSiCウェハの長期供給契約を締結した。金額の詳細は非公開だが、「10年」という期間の長さそのものがこのニュースの核心を語っている。半導体業界でこれほど長期の調達契約が結ばれるのは異例であり、SiCウェハ市場が単なる「買い手優位の部材調達
SiCウェハ価格動向と2026年見通し
2024年のSiCパワー半導体市場は、予想より需要の伸びが鈍化し、一部メーカーが生産計画を見直す動きを見せた。この「踊り場」ともいえる状況を受けて、ウェハ価格がどう動くかという問いは、デバイス設計の原価計算から調達戦略の組み直しまで、幅広い判断に直結する。2026年に向けた見通しを語るには、まず「な