Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
ニュース
Power Integrationsが2026年8月5日、業界初となる2200V対応のPowiGaN技術を発表。AIデータセンターの1500V配電、EV補機、太陽光インバーター等が用途対象。従来SiCが占めてきた高耐圧領域にGaNが進出する動きとなる。
Infineonは米ITCでInnoscienceのGaN製品に対する輸入・販売禁止を最終確定させ、欧州系IPがアジア製品を米市場から排除する初の大型事例となった。WolfspeedもNavitasを特許侵害で提訴。GaN覇権を巡る特許戦が調達リスクに直結する構図を一次情報で整理する。
減損局面を経たSiC/GaNは需要と技術で局面が動く。オンセミはNIOの900V化やGeelyのSEPシステムにEliteSiCを供給し、InnoscienceとGaNで協業。東芝は新型ゲートドライバ、ROHMはTSC3PAKを投入した。2026年の動向を一次情報で整理する。
onsemiはPCIM 2026でGaN基盤「GaNEXUS」を打ち出し、GlobalFoundriesと650V、Innoscienceと40〜200VのGaNで協業すると公表。いずれも2026年上期サンプル予定で、用途にAIデータセンター電源を含む。全電圧帯を狙うGaN戦略を整理する。
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
2026年5月、タタ・エレクトロニクスとASMLが覚書を締結し、インド初の先端半導体ファブ実現に向けた動きが具体化。 110億ドルのドレラファブとロームを含む日本企業の参画まで、インドのサプライチェーン構築が「構想」から「実行段階」へ移行しつつある。
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。
2025年、ルネサス エレクトロニクスが米Transphorm社のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体事業を買収することで合意した。Transphormは縦型GaN-on-SiC構造に強みを持つパイオニア企業であり、この買収はルネサスのパワー半導体ポートフォリオに根本的な変化をもたらす可能性がある。単
