Sector Signals
検証済みファクトをもとにしたセクターの市場構造・技術変化・企業戦略の分析。
ニュース
Wolfspeedが2026年6月9日に第5世代SiC技術を発表。競合の1200Vソリューション比で特定オン抵抗（RSP）を最大27%低減し、1200V/750V対応・200mm量産プラットフォームで車載トラクションインバーターと産業用電源、EV充電インフラ向けに展開する。
Tataがアッサム州ジャギロードに投資₹2万7,000クローレ（約30億ドル超）でインド初の半導体組立・テスト施設TSATを建設。稼働後は日産最大4,800万チップ・雇用2万7,000人超を見込む。前工程ファブに続き、後工程OSATと設計（DLIで24プロジェクト進行）の内製化が進む。
ASEが2026年5月26日、業界初の自動310mm角パネルレベルパッケージング（PLP）ラインを開発したと発表。有効面積は最大96,100mm²で、FOCoSは2/2µm、FOCoS-Bridgeは8/8µmのライン・スペースに対応。2027年前半の生産開始を予定する。
EntegrisとJSR傘下のInpriaが、EUVリソグラフィ向け金属酸化物レジスト（MOR）特許で非独占クロスライセンス契約を締結。処方・前駆体合成・超高純度ろ過の3領域をカバーし、係争中だった特許無効審判IPR2025-00267も合意の一環で終結する。
TDKが2026年5月19日にAIエッジ向け超小型マイクロPOL DC-DCモジュール「FS3303」を量産開始。2.5×2.5mm・高さ1.2mmで3Aを出力し、ピーク効率約95%、入力2.7〜6V・出力0.4〜3.3Vで低電圧レールに対応する。
Microchipが2026年5月26日に3.3kV SiCパワーモジュール「HV-D3 mSiC」を発表。6kV絶縁により13.8kV・34.5kVグリッド接続時の直列デバイス数を低耐圧SiC比で約半減し、AIデータセンターの固体変圧器(SST)向けに100〜300Aをカバーする。
AIXTRONが2026年Q1速報を発表。受注高が約1億7,100万ユーロ（前年比+30%）に達し、データセンター向け光通信需要の急増を受けてFY2026通期売上高ガイダンスを約5億2,000万ユーロから約5億6,000万ユーロへ上方修正した。
東芝デバイス＆ストレージが2026年5月20日に1200Vトレンチゲート型SiC MOSFET「TW007D120E」のテストサンプル出荷を開始。フィギュアオブメリットRds(on)×Qgdを現行品比約52%改善し、AIデータセンター電源と再生可能エネルギー機器への採用を目指す。
三菱電機が2026年5月に第8世代NXタイプ1200V IGBTモジュールのサンプル出荷を開始。前世代比で電力損失を最大19%低減し、産業用インバータ・UPS・太陽光発電システムへの採用を想定する。
ロームが2025年9月に量産開始したTOLLパッケージ750V耐圧SiC MOSFET「SCT4013DLL」。AIサーバーのBBU（バッテリーバックアップユニット）向けに採用が広がる背景と仕様を解説する。
通期ガイダンスを引き上げる判断は、半導体メーカーが慎重に扱うものだ。在庫調整と需要の読み違えで何度も足元をすくわれてきた業界では、上振れを見込んだ見通しの更新は株価だけでなく、サプライチェーン全体に波及する。Infineon TechnologiesがFY2026 Q2決算でその判断を下した背景には
韓国ドゥサンがSK Siltronの株式100%を取得し、約5兆ウォンの買収を発表。 SiC事業の4,140億ウォン減損と1.2兆ウォンのコベナンツ問題を抱えながら進む垂直統合戦略と、日韓サプライチェーン協力の文脈を読む。
2026年5月、タタ・エレクトロニクスとASMLが覚書を締結し、インド初の先端半導体ファブ実現に向けた動きが具体化。 110億ドルのドレラファブとロームを含む日本企業の参画まで、インドのサプライチェーン構築が「構想」から「実行段階」へ移行しつつある。
インドのCyientが2026年5月、AI・急速充電・e-モビリティ向け650V GaNパワーICをインド初として発表した。日米欧台に限られてきたGaN供給源の多様化が意味すること、車載認証サイクルとの関係を解説する。
2026年Q1のNavitas収益は860万ドル（前年比39%減）。それでも株価は発表後27.66%急騰。AI・グリッド・産業向け高出力セグメントが前年比35%増となり、市場が「どこから稼ぐか」の構造変化を先んじて評価した。
ロームは2025年度通期決算でパワー半導体事業に1,936億円の減損損失を計上し、最終純損失は1,584億円。SiC固定資産の過剰投資が主因で、InfineonやSTMicroも計画縮小を発表した同時期。調達・投資判断への示唆を整理する。
EVの需要鈍化でSiC市場の成長見通しが修正されている。一方で産業機器・太陽光・データセンター向け需要が想定以上のペースで拡大しており、需要の多角化が構造変化として定着しつつある。調達先の需要ポートフォリオ評価に影響する論点を整理する。
SiCウェハの8インチ化とGaN-on-Siのエピ成長改善が、ワイドバンドギャップ半導体のコスト構造を変えている。Si比の価格差が縮小する時期の見通しと、コスト低下を促す製造技術の要点を整理する。
2024年、BYDの半導体子会社・比亜迪半導体は1200V耐圧のSiC MOSFETの量産ラインを拡張し、EV向けインバータへの自社搭載比率を高める方針を明確にした。単なる内製化の話ではない。世界最大のEVメーカーが、パワー半導体という部品の上流まで自ら握ろうとしている動きだ。
シリコン（Si）のIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）は時代遅れになった——そう語られる機会が増えた2020年代半ば、富士電機が新世代IGBTを発表した。同社が「第8世代」と位置づけるこのデバイスは、スイッチング損失とオン電圧の両立を従来比で大幅に改善したと公表されており、EV向けインバー
SiC MOSFET市場のリーダーであるInfineonが、CoolSiCファミリーのラインアップ更新を進めている。単なる製品追加ではなく、耐圧帯の拡充とゲート構造の改良を組み合わせた動きとして捉えると、この更新が業界全体に対して何を問いかけているかが見えてくる。
2025年、InfineonはSK Siltronと複数年にわたるSiCウェハ供給契約を締結した。金額は公表されていないが、Infineonがウェハ調達を単一の長期契約で固定するという動きは、SiCサプライチェーンの構造変化を象徴している。「誰がウェハを確保するか」が、パワー半導体の競争力を左右する
2025年から繰り返し報じられてきた「日系パワー半導体3社統合」構想。経済産業省の後押しを受けた国策的な再編として注目を集めてきたが、当事者各社の動きを追うと、統合の輪郭はまだ曖昧なままだ。何が決まり、何が決まっていないのか。足元の状況を整理しておきたい。
三菱電機と光学部品・半導体材料大手のCoherentが、8インチ（200mm）SiCウェハの共同開発に合意した。現在の主流である6インチ（150mm）から8インチへの移行は、単なる口径の拡大ではない。ウェハ1枚から取れるチップ数が増え、製造コスト構造が根本から変わる転換点だ。
2025年に入り、onsemiのSiC事業が市場の期待ほど伸びていないという見方が広がっている。EVインバータ向けを中心に積み上げてきたSiCビジネスは、欧米の電動化ペース鈍化という逆風にさらされ、通期見通しの下方修正が相次いだ。だが同社はSiC投資の方向性を変えていない。この「踏みとどまる」という
2025年、ルネサス エレクトロニクスが米Transphorm社のGaN（窒化ガリウム）パワー半導体事業を買収することで合意した。Transphormは縦型GaN-on-SiC構造に強みを持つパイオニア企業であり、この買収はルネサスのパワー半導体ポートフォリオに根本的な変化をもたらす可能性がある。単
ルネサスエレクトロニクスとWolfspeedが、10年間にわたるSiCウェハの長期供給契約を締結した。金額の詳細は非公開だが、「10年」という期間の長さそのものがこのニュースの核心を語っている。半導体業界でこれほど長期の調達契約が結ばれるのは異例であり、SiCウェハ市場が単なる「買い手優位の部材調達
STマイクロエレクトロニクスとAmpere（旧Oracle傘下のArmベースサーバー設計で知られる企業とは別の、EV向けパワートレイン設計会社）が、次世代EVのトラクションインバーター向けにSiCパワーモジュールを共同開発し、2026年の商用化を目指していると報じられた。発表の骨子はシンプルだが、そ
STマイクロエレクトロニクスがイタリア・カターニアのSiCパワー半導体工場を段階的に拡張しながら、EV・産業向け需要を取り込もうとしている。設備投資の規模と時期、そして同社が直面しているSiC事業の収益化圧力を合わせて見ると、この動きが単なる生産能力増強ではないことが見えてくる。
東芝が「トリプルゲートIGBT」と呼ぶ新構造のIGBTを発表し、従来比で損失を最大40%削減できると公表した。40%という数字は、単なる世代交代のスペックアップではない。IGBTが主戦場としてきた産業機器・鉄道・大型インバータの領域では、損失1%の改善がシステム冷却コストや年間電力費に直結する。それ
