Power Semiconductors

水电解功率半导体实用指南：绿氢与碳化硅(SiC)/绝缘栅双极型晶体管(IGBT)

用于绿氢生产的电解水系统功率电子器件概览。介绍了兆瓦级SiC的应用、电网规范合规性、安森美(onsemi)/英飞凌(Infineon)的PFC/DC-DC解决方案，以及关于资本支出(CAPEX)/运营支出(OPEX)的见解。

EV充电功率半导体：OBC与DC快充

面向OBC（车载充电器）和DC快充基础设施，SiC/GaN采用正在加速。本文整理损耗降低30%、功率密度提升50%、400V向800V迁移、V2X支持和ASIL-D功能安全要点。

Wolfspeed：第5代SiC，比导通电阻最高降27%

Wolfspeed于2026年6月9日发布第5代SiC技术，较竞争对手的1200V方案将比导通电阻（RSP）最高降低27%。覆盖1200V/750V、基于已量产就绪的200mm平台，面向车载牵引逆变器、工业电源与EV充电基础设施。

AQG 324 汽车功率模块认证实用指南

本文总结了 ZVEI/ECPE AQG 324 标准中关于湿度、功率循环、热冲击和振动的测试要求，探讨了 SiC MOSFET 在认证过程中面临的具体挑战，以及如何满足主机厂（OEM）的额外要求。

IGBT与SiC MOSFET的区别：如何选型

IGBT与SiC MOSFET有何不同，在哪些用途下应选哪一个？本文从器件结构（双极对单极）、导通与开关损耗、耐压与频率范围、成本，以及EV、工业、光伏、数据中心电源等按用途的选型加以梳理。

Microchip：发布3.3kV SiC模块HV-D3

Microchip于2026年5月26日发布3.3kV SiC功率模块“HV-D3 mSiC”。凭借6kV绝缘，在13.8kV、34.5kV电网连接中，相比低耐压SiC可将串联器件数量约减半，并以100-300A覆盖AI数据中心固态变压器（SST）应用。

AIXTRON：Q1订单增30%上调全年指引

AIXTRON发布2026年第一季度初步业绩，订单量达约1.71亿欧元（同比+30%），增长主要由数据中心光通信需求激增驱动。公司将2026财年全年营收指引从约5.20亿欧元上调至约5.60亿欧元。

东芝：1200V SiC MOSFET样片大幅提升性能

东芝电子元件及存储装置株式会社于2026年5月20日开始发货1200V沟槽栅SiC MOSFET 'TW007D120E'的测试样品。该器件的品质因数Rds(on)×Qgd较现有产品提升约52%，公司将目标市场定位于AI数据中心电源及可再生能源设备。

罗姆：750V SiC MOSFET在BBU中替代IGBT

ROHM的TOLL封装750V SiC MOSFET「SCT4013DLL」于2025年9月进入量产阶段，正在AI服务器BBU（电池备用单元）应用中迅速普及。本文介绍其采用背景及关键规格。

SiC功率模块热设计实践：从结温、TIM、封装选择到液冷设计

SiC功率模块关键热设计要点的实践概览。涵盖TIM热阻主导性、实际液冷流量示例、顶部散热与双面散热封装对比，以及功率循环测试标准——面向设计与采购工程师编写。

IGBT转SiC：通过小型化评估总拥有成本

决定从IGBT切换到SiC的关键标准，不是器件级别的成本比较，而是SiC所实现的散热系统与无源元件小型化如何改变整体系统BOM成本和产品规格。本文整理了针对不同应用场景的决策框架，以及作为过渡方案的混合SiC解决方案。

下一代功率器件技术展望——超越SiC与GaN的设计与采购策略

随着SiC和GaN在工业及汽车功率半导体领域逐渐成为主流，三种下一代候选材料——Ga₂O₃（氧化镓）、GaN-on-GaN（原生衬底）和金刚石半导体——正处于研发前沿。本文梳理了各材料的技术成熟度、量产时间线及商业影响，并为设计工程师和采购管理人员提出当前应采取的具体行动步骤。

SiC替代供应商比较——降低Wolfspeed依赖的实用指南

Wolfspeed的破产重组凸显了SiC采购中单一供应商依赖的风险。本指南从关键特性和选型标准出发，对Infineon CoolSiC、onsemi EliteSiC、ROHM、三菱电机、富士电机及中国制造商进行横向比较，为构建多供应商策略提供系统性框架。

In May 2026, Tata Electronics and ASML signed a memorandum of understanding, bringing India's first advanced semiconductor fab closer to reality. From the $11 billion Dholera fab to the participation of Japanese firms including ROHM, India's supply chain buildout is moving from 'vision' to 'execution.'

罗姆FY2025：SiC业务损失1584亿日元

ROHM在截至2025年3月的财年中，其功率半导体业务记录了1,936亿日元的减值损失，导致净亏损达1,584亿日元，主要归因于SiC业务的固定资产减值。

欧洲OEM：SiC采购战略转向

大众、宝马、Stellantis等欧洲主要OEM正在重构SiC采购战略。在垂直整合、长期合同、多元化采购并行的背景下，本文分析对一级供应商的影响、竞争轴心及应对方向。

功率模块一级供应商竞争力比较

本文从产品阵容、SiC能力、供应产能和价格竞争力四个维度，对Infineon、onsemi、STMicro、Mitsubishi Electric、Fuji Electric和ROHM六家领先功率模块供应商进行基准评测，供采购来源选择参考。

SiC需求迎来拐点——EV放缓如何开启工业市场机遇

EV需求增长放缓促使SiC市场预测下调。与此同时，工业设备、太阳能和数据中心的需求扩张超出预期，需求多元化正成为结构性转变。本文探讨这一变化对供应商需求组合评估的影响。

SiC模块封装技术趋势——下一代封装如何重新定义热设计

SiC功率模块的性能瓶颈往往源于封装而非器件本身。从硅凝胶封装向环氧树脂和陶瓷封装的转变，以及双面冷却结构的采用，是决定下一代SiC系统竞争力的封装与组装技术趋势。

太阳能逆变器功率器件选型逻辑

太阳能功率调节系统（PCS）根据应用类型和输出规模，选择性地使用Si IGBT、SiC MOSFET和GaN-on-Si。本文梳理器件选型的决策标准、主要供应商定位及关键采购考量。

宽禁带半导体制造成本趋势——解读SiC与GaN的成本曲线

向8英寸SiC晶圆的切换以及GaN-on-Si外延生长工艺的改进，正在重塑宽禁带半导体的成本结构。本文探讨与硅器件价格差距何时收窄的前景，以及驱动成本下降的关键制造技术因素。

AI服务器电源：GaN采用标准

决定在AI服务器电源设计中是否采用GaN，不能仅因其属于"下一代技术"；必须确认GaN在开关频率、功率密度和热设计三个维度上相对于SiC和Si是否具有明确优势。

BYD Semiconductor扩大SiC量产规模

2024年，BYD旗下半导体子公司BYD Semiconductor宣布扩大1200V SiC MOSFET量产线，以提高EV逆变器的自供率。这一举措的意义不仅在于垂直整合本身，更体现了全球最大EV制造商谋求控制功率半导体上游的战略意图。

中国SiC制造商：选型标准

许多团队在是否采用中国SiC制造商的问题上存在内部分歧，部分人员提出质量担忧，另一部分则强调无法回避的成本因素。然而，以"因是中国就不采用"或"因便宜就采用"来回答这一问题过于简单化；真正需要探讨的是验证框架——即如何通过确认具体内容来做出合理决策。

EV功率半导体应用选型矩阵

单台逆变器搭载的SiC功率模块成本是传统Si基模块的2至3倍，然而EV制造商正在加速向SiC过渡，因为整体系统效率的提升和体积的减小抵消了更高的零部件成本；但并非简单地"使用SiC"，EV功率转换系统分为多个应用场景，各有不同的……

电动汽车SiC逆变器：损耗计算与效率提升

EV逆变器转换效率提升1%即可带来数公里的续航差异；当设计工程师面临超越目录值、追求实际效率提升的挑战时，首先遇到的问题是"计算哪些损耗、如何计算"。若不能正确分解损耗构成，即便采用SiC，也可能无法获得预期的效率改善。

EV应用中SiC与GaN的选择：如何挑选合适材料

800V电池系统的采用正在加速，保时捷Taycan、现代IONIQ 6和起亚EV6等车型均从传统400V架构升级至双倍电压，以缩短充电时间并提升驾驶效率，这一趋势直接影响功率器件的选择，SiC与GaN的细分格局正在形成。

SiC与GaN时代，IGBT是否仍有价值？

功率转换市场的格局正在深刻变化：SiC功率器件全球市场预计在2030年代前后迎来快速扩张，GaN的应用范围也从家电延伸至数据中心电源。在此背景下，硅基IGBT究竟是否已经过时？

工业变频器中SiC可靠性评估的关键要点

在工业变频器设计中考虑采用SiC MOSFET时，讨论的焦点往往集中在损耗和开关速度上。然而，在实际应用中更为根本且常被忽视的问题是：器件能否在负载短路时存活。EV与工业设备的应用特性有所不同，工业变频器对运行持续性要求极高，设备意外短路时的可靠保护能力直接影响系统整体可靠性。

Infineon CoolSiC产品系列更新解读

作为SiC MOSFET市场的领导者，Infineon正在持续更新其CoolSiC产品系列。此举不仅仅是产品增补，而是涵盖电压范围扩展和栅极结构改进的战略行动，对整个行业具有深远意义。

Infineon与SK Siltron签署SiC晶圆供应协议

2025年，Infineon与SK Siltron签署了多年期SiC晶圆供应协议，这一举动象征着SiC供应链的结构性转变——通过单一长期合同锁定晶圆采购，将决定功率半导体的竞争力。

三菱电机：与Coherent开发8英寸SiC衬底

Mitsubishi Electric与光学元件及半导体材料领域领先企业Coherent达成协议，将联合开发8英寸（200mm）SiC晶圆，这标志着从当前6英寸（150mm）主流的重要转变，将通过增加每片晶圆的芯片数量从根本上改变制造成本结构。

onsemi SiC业务业绩展望

进入2025年，普遍观点认为onsemi的SiC业务增长未达市场预期，以EV逆变器为主的SiC业务正面临欧美电气化步伐放缓的逆风，全年预测出现多次下调。然而公司在SiC投资战略上依然坚定不移，这种"坚守阵地"的姿态值得深入分析。

功率半导体市场重组图谱 2026

尽管多家调研机构预测全球SiC功率半导体市场2025年将达到约30亿美元、2030年将突破100亿美元，但行业当前的焦点已从"增长"转向"重组"——问题不再是"谁将占领市场"，而是"谁能存活下去"。

功率半导体供应商评估基础

一个准备大批量生产EV逆变器的设计团队，在选择SiC MOSFET供应商时遭遇了第一道难关："我们不知道该对比哪些数据手册。"单纯并排比较规格表远远不够——测量条件不同，数字的含义截然不同，而各家公司提供的可靠性数据格式又参差不齐，根本无法直接比较。

Renesas收购Transphorm GaN业务

Renesas Electronics已同意收购GaN-on-SiC垂直GaN结构先驱Transphorm，这笔预计于2025年完成的交易将从根本上改变其功率半导体产品组合。

瑞萨：与Wolfspeed签10年SiC晶圆供应协议

Renesas Electronics与Wolfspeed签署了一份为期十年的SiC晶圆长期供应协议，这一前所未有的合作期限本身，已足以说明该协议在半导体行业的重要性，也标志着SiC晶圆采购已超越买方市场的范畴。

ROHM第五代SiC MOSFET的导入评估

随着下一代SiC MOSFET的问世，许多企业正在追问："我们想评估第五代产品，但从哪里入手？"鉴于ROHM第四代产品已实现低导通电阻（RonA）与高短路耐受能力的兼顾，第五代的评估不能止步于器件规格本身，还必须涵盖与保护电路的兼容性和热设计裕量。

主要半导体厂商在SiC、GaN与IGBT领域的投资策略比较

EV逆变器主流技术格局的转变、工业设备高效化压力以及数据中心功率密度的急剧攀升——多重需求浪潮同时涌来，各大半导体厂商正面临在SiC、GaN与IGBT三类技术之间抉择投资重点、坚守阵地与战略退出的关键时刻。

SiC 8英寸晶圆供应体系建设现状

SiC功率半导体晶圆尺寸正从6英寸（150mm）向8英寸（200mm）迁移，但"迁移已启动"与"稳定供应体系建立"之间仍存在显著差距；从设计和采购视角评估8英寸晶圆供应链时，迁移进度是核心变量。

SiC与GaN商业机会评估框架

"SiC还是GaN"这一下一代功率半导体的经典命题，在业界被反复提及，但提问方式本身略显简单化。两者同为宽禁带半导体，却在最佳电压范围、开关特性和成本结构上截然不同。答案不在于"哪个更优"，而在于"针对哪种应用、哪个电压范围、以何种时间维度进行评估"。

SiC 栅极驱动器选型关键要点

随着 SiC MOSFET 的普及加速，栅极驱动器的选型越来越直接决定设计品质；核心在于 SiC 器件芯片面积小、电流密度高，短路时温度上升速度远快于硅（Si）器件，因此保护电路的设计思路必须与 Si 时代有所不同。

SiC 模块与分立器件：选型标准

在逆变器设计初期一旦决定采用 SiC，紧接而来的问题便是选用模块还是分立器件。这一看似仅为实现形式的选择，实际上从根本上影响系统性能、PCB 面积、保护电路设计以及采购灵活性。

SiC 晶圆价格趋势与 2026 年展望

2024 年 SiC 功率半导体市场需求增速低于预期，促使部分厂商调整生产计划。这一"平台期"局面直接影响从器件设计成本核算到采购策略重构的一系列决策，并引发了晶圆价格走势的疑问。要讨论 2026 年的展望，须先理解 SiC 晶圆价格居高不下的结构性原因。

应对 SiC 晶圆采购风险

随着 SiC 功率半导体的加速普及，设计完成后确保晶圆稳定供应正日益成为最大瓶颈——无论设计阶段选定了多优秀的器件，没有晶圆就无法量产。要管理供应链风险，须从结构上理解"瓶颈在哪个环节、以何种方式发生"，这是决策的起点。

ST意法：Ampere用SiC模块2026年量产

STMicroelectronics与Ampere（EV动力总成设计公司，非原Oracle旗下的Arm架构服务器设计商）据报正就下一代EV牵引逆变器用SiC功率模块展开合作，目标2026年实现量产；这一公告内容直接，却折射出"SiC全面导入阶段"驱动下的行业整合动向。

STMicroelectronics SiC新工厂：量产进展

STMicroelectronics通过逐步扩建意大利卡塔尼亚的SiC功率半导体工厂来承接EV和工业需求，考量其投资规模与时机，以及SiC业务面临的盈利变现压力，这一举措所蕴含的意义远不止产能扩充。